于旭东,李 军,丁 帅,戚林建,徐胜江

氮化铝（AlN）因其优异的导热性和电绝缘性，成为高功率电子器件封装基板的核心材料。然而，AlN粉体中的氧杂质会引入晶格缺陷，严重劣化其绝缘性能。本文系统分析了AlN粉体氧杂质的主要来源，综述了高纯原料选择、合成工艺优化、后处理提纯等氧含量控制技术。重点探讨了氧含量对材料体积电阻率、介电损耗及击穿场强等绝缘性能的影响规律。通过优化碳热还原法工艺参数，可有效将氧含量降低至0.5 wt%以下。研究表明，当氧含量从1.2 wt%降至0.3 wt%时，材料体积电阻率提升约两个数量级。

氮化铝粉体；氧含量控制；绝缘性能；体积电阻率；碳热还原法

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