作者
蔡昌恒,许友坤 ,高 峯
文章摘要
本文基于GaN HEMT工艺平台,选用GaN功率管管芯,运用负反馈稳定技术、宽带同轴变压器+集总元件混合匹配技术,借助ADS软件仿真验证,并结合实物调试,成功研制出了一款9kHz-400MHz超15个倍频程的宽带功率放大模块。测试结果显示,在工作频段内,模块典型输出功率超100W,功率增益大于50dB,功率平坦度小于±1.5dB,漏极效率大于28.87%,谐波抑制优于-20dBc。
文章关键词
宽带;功率放大器;阻抗匹配;100W;GaN
参考文献
[1] 射频与微波晶体管功率放大器工程[M].张玉兴,陈会,文继国.北京:电子工业出版社,2013.
[2] 射频与微波功率放大器设计[M].Andrei Grebennikov,张玉兴.北京:电子工业出版社,2006.
[3] 超宽带微波功率放大器研究[D].吕俊杰.电子科技大学,2018.
[4] P 波段 GaN 基功率放大器的设计及实现[D].马新宇.电子科技大学,2018.
[5] 基于宽带匹配技术的 100W 功率放大器设计[D].陈志杰.华南理工大学,2013.
[6] A 1-8GHz Gallium Nitride distributed power amplifier MMIC utilizing a trifilar transformer[C].Campbell C F,Roberg M D,Fain J,et al.Microwave Integrated Circuits Conference.IEEE,2016:217-220.
[7] 一种 30MHz~3GHz 宽带高增益功率放大器[J].胡俊,赵华,陈晓娟.微电子学,2019.
[8] 0.3~2.0 GHz 100W GaN 超宽带功率放大器[J].徐永刚,杨兴,钟世昌.固体电子学研究与进展,2018.
[9] 30~2600MHz 超宽带 GaN 功率放大器的设计与实现[J].陆宇,陈晓娟,钱可伟.半导体器件,2015.
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